 | • レポートコード：MRC360i24AR2134 • 出版社/出版日：360iResearch / 2024年4月 • レポート形態：英文、PDF、186ページ • 納品方法：Eメール（受注後2-3日） • 産業分類：産業未分類 |
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レポート概要
※当レポートは英文です。下記の日本語概要・目次はAI自動翻訳を利用し作成されました。正確な概要・目次はお問い合わせフォームからサンプルを請求してご確認ください。
[186ページレポート] エピタキシャルウエハ市場規模は2023年に38.2億米ドルと推定され、2024年には42.6億米ドルに達し、CAGR 11.46%で2030年には81.7億米ドルに達すると予測される。
エピタキシャル・ウェーハは、集積回路（IC）やさまざまな電子・光デバイスを製造するために高度に精製された半導体ウェーハである。「エピタキシー」とは、単結晶基板上に単結晶層を堆積させることで、優れた電気特性を持つウェハーの開発を可能にする。このプロセスでは、結晶方位と純度を綿密に制御し、エピタキシャル層が下地基板を完全に反映するようにする。EVの普及と世界的な5G技術インフラの拡大も、エピタキシャル・ウェーハの拡大に寄与している。しかし、こうしたウェハーの製造と加工に伴う複雑さは、メーカーにとって大きな課題となっている。エピタキシャル・ウェーハの事業成長を維持・強化するためには、企業はエピタキシャル成長プロセスの効率改善とコスト削減に焦点を当てた研究開発活動に投資しなければならない。自動化技術とプロセス制御技術の革新は、生産効率を大幅に高めることができる。先端マイクロエレクトロニクス・アプリケーション向けの3D構造など、新しい材料や構造を開発することも、メーカーに新たな道を開く可能性がある。
材料タイプ：エピ・ウェーハの電子移動度を向上させるGaAsとGaN材料の進歩の高まり
エピウエハーは、半導体産業において極めて重要であり、多くの電子・光デバイスの基礎基板としての役割を果たしている。その製造に利用される重要な材料の中には、ガリウムヒ素（GaAs）、窒化ガリウム（GaN）、リン化インジウム（InP）、シリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）などがあります。GaAsは優れた電子移動度で知られ、高周波アプリケーションに最適です。GaNは、電子を伝導する卓越した能力で際立っており、パワーエレクトロニクスやLED技術において特に有益である。InPは、その高い電子速度が認められており、高速・高周波通信システムに不可欠である。シリコンは、その天然資源の豊富さと確立された加工技術により、依然として主流材料であり、エレクトロニクスの主流にとって極めて重要である。さらに、SiCは、その卓越した熱伝導性と電気特性で注目されており、ハイパワーかつ高温のアプリケーションに不可欠である。これらの材料は、今日のエピタキシャル成長半導体デバイスの技術的進歩を支えている。
アプリケーション電気的・機械的特性を向上させるため、電子デバイスにおけるエピタキシャル・ウェーハの用途が増加している。
エピタキシャル・ウェーハは、数多くのハイテク・アプリケーションの開発と性能向上において重要である。発光ダイオード（LED）では、これらのウェーハは、高度なディスプレイや照明ソリューションに不可欠な、高効率と輝度レベルを生み出す基本となっている。微小電気機械システム（MEMS）では、エピタキシャル・ウェーハは、精密で信頼性の高いデバイス性能に必要な構造均一性と機械的特性を提供します。フォトニクスの分野では、電気通信やデータ伝送技術において極めて重要な、効率的な光の操作と伝送に不可欠な高品質の半導体層を提供するため、これらのウェハーから大きな恩恵を受けている。パワー半導体では、エピタキシャル層が提供する強化された電気特性により、より高い電圧、温度、効率で動作するデバイスが可能になり、これはエネルギー変換および管理システムにとって極めて重要である。さらに、無線周波数（RF）デバイスでは、エピタキシャル・ウェーハの優れた電子移動度が、高度な無線通信およびレーダー・システムに不可欠な高速動作と信号性能の実現に役立っている。これらの用途における幅広い有用性は、現代および将来の技術進歩におけるエピタキシャルウェーハの不可欠な役割を裏付けている。
地域別インサイト
米州では、米国とカナダがエピウエハーの主要市場であり、主に技術進歩、自動車セクター、再生可能エネルギー・アプリケーションが需要を牽引している。同市場は、洗練された電子機器への高い需要と大手半導体企業の存在が特徴である。Epiウエハー施設を含む半導体製造への最近の投資は、技術における優位性を維持することの戦略的重要性を強調している。同時に、EMEA地域は多様な市場ダイナミクスを示しており、欧州は研究、技術革新、製造において重要な位置を占めている。中東とアフリカは新興市場であり、主に電気通信と産業用途で可能性を示している。地域の特許は、効率改善とコスト削減に焦点を当てたエピウエハー技術の革新を支えている。さらに、アジア太平洋地域は世界のエピウエハー市場において重要であり、中国、日本、インドが主な貢献国である。この地域は、重要な半導体製造施設、エレクトロニクスや自動車分野への投資の増加、政府のイニシアティブによる支援などの恩恵を受けている。半導体製造のためのR&Dとインフラへの多額の投資、半導体生産の自給自足を達成するための積極的な政府政策が、この地域の市場を牽引している。
FPNVポジショニング・マトリックス
FPNVポジショニングマトリックスはエピタキシャルウエハ市場を評価する上で極めて重要である。事業戦略と製品満足度に関連する主要指標を調査し、ベンダーを包括的に評価します。この詳細な分析により、ユーザーは自らの要件に沿った十分な情報に基づいた意思決定を行うことができます。評価に基づき、ベンダーは成功の度合いが異なる4つの象限に分類されます：フォアフロント（F）、パスファインダー（P）、ニッチ（N）、バイタル（V）である。
市場シェア分析
市場シェア分析は、エピタキシャルウェハ市場におけるベンダーの現状を洞察的かつ詳細に調査する包括的なツールです。収益全体、顧客ベース、その他の主要指標について、ベンダーの貢献度を綿密に比較・分析することで、各社の業績と市場シェア争いの際に直面する課題について、より深い理解を提供することができます。さらに、この分析により、調査対象基準年に観察された蓄積、断片化の優位性、合併の特徴などの要因を含む、この分野の競争特性に関する貴重な洞察が得られます。このように詳細な情報を得ることで、ベンダーはより多くの情報に基づいた意思決定を行い、市場での競争力を得るための効果的な戦略を考案することができます。
主要企業のプロファイル
本レポートでは、エピタキシャルウエハ市場における最近の重要な動向を掘り下げ、主要ベンダーとその革新的なプロフィールを紹介しています。その中には、ASM International N.V.、Beijing Grish Hitech Co.Ltd.、Coherent Corporation、Electronics and Materials Corporation、GlobalWafers Co.Ltd.、Intego GmbH、IQE PLC、JEJE Deutschland GmbH、JXT Technology Co.Ltd.、PlutoSemi Co.Ltd.、Resonac Corporation、昭和電工株式会社、Silicon Materials, Inc、Silicon Materials, Inc., Siltronic AG, Stanford Advanced Materials by Oceania International LLC, Sumco Corporation, 住友電気工業株式会社, VIGO Photonics S.A., Wafer Works (Shanghai) Co., Ltd., Western Minmetals (SC) Corporation, Xiamen Powerway Advenced Materials Co., Ltd.などである。
市場区分とカバー範囲
この調査レポートは、エピタキシャルウェーハ市場を分類し、以下の各サブ市場における収益予測と動向分析を掲載しています：
材料タイプ ● ガリウムヒ素
窒化ガリウム
リン化インジウム
シリコン
炭化ケイ素
ウェーハサイズ ● 100mm
150mm
200mm
300mm
アプリケーション ● 発光ダイオード
マイクロ電気機械システム
フォトニクス
パワー半導体
高周波デバイス
地域 ● 米州 ● アルゼンチン
ブラジル
カナダ
メキシコ
アメリカ ● カリフォルニア州
フロリダ州
イリノイ州
ニューヨーク
オハイオ州
ペンシルバニア
テキサス
アジア太平洋 ● オーストラリア
中国
インド
インドネシア
日本
マレーシア
フィリピン
シンガポール
韓国
台湾
タイ
ベトナム
ヨーロッパ・中東・アフリカ ● デンマーク
エジプト
フィンランド
フランス
ドイツ
イスラエル
イタリア
オランダ
ナイジェリア
ノルウェー
ポーランド
カタール
ロシア
サウジアラビア
南アフリカ
スペイン
スウェーデン
スイス
トルコ
アラブ首長国連邦
イギリス
本レポートは、以下の点について貴重な洞察を提供している：
1.市場浸透度：主要企業が提供する市場に関する包括的な情報を掲載しています。
2.市場の発展：有利な新興市場を深く掘り下げ、成熟した市場セグメントにおける浸透度を分析します。
3.市場の多様化：新製品の発売、未開拓の地域、最近の開発、投資に関する詳細な情報を提供します。
4.競合評価とインテリジェンス：主要企業の市場シェア、戦略、製品、認証、規制当局の承認、特許状況、製造能力などを網羅的に評価します。
5.製品開発とイノベーション：将来の技術、研究開発活動、画期的な製品開発に関する知的洞察を提供しています。
本レポートは、以下のような主要な質問に対応しています：
1.エピタキシャルウェーハ市場の市場規模および予測は？
2.エピタキシャルウェハ市場の予測期間中に投資を検討すべき製品、セグメント、用途、分野は何か？
3.エピタキシャルウェハ市場の技術動向と規制枠組みは？
4.エピタキシャルウェーハ市場における主要ベンダーの市場シェアは？
5.エピタキシャルウエハ市場への参入には、どのような形態や戦略的な動きが適しているか？
1.序文
1.1.研究の目的
1.2.市場細分化とカバー範囲
1.3.調査対象年
1.4.通貨と価格
1.5.言語
1.6.ステークホルダー
2.調査方法
2.1.定義調査目的
2.2.決定する研究デザイン
2.3.準備調査手段
2.4.収集するデータソース
2.5.分析する：データの解釈
2.6.定式化するデータの検証
2.7.発表研究報告書
2.8.リピート：レポート更新
3.エグゼクティブ・サマリー
4.市場概要
5.市場インサイト
5.1.市場ダイナミクス
5.1.1.促進要因
5.1.1.1.民生用電子機器の需要拡大とIC技術の継続的進歩
5.1.1.2.電気自動車の普及と世界的な5G技術インフラの拡大
5.1.2.阻害要因
5.1.2.1.ウェハー設計と薄化プロセスに関連する技術的限界
5.1.3.機会
5.1.3.1.炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）ウェーハの技術進歩
5.1.3.2.エピ・ウェーハの自動化とプロセス制御技術の革新
5.1.4.課題
5.1.4.1.エピタキシャル・ウェーハの化学的・物理的メカニズムに伴う複雑さ
5.2.市場セグメント分析
5.2.1.材料タイプ：エピウエハーの電子移動度を高めるGaAsとGaN材料の進歩が著しい
5.2.2.用途：電気的・機械的特性を向上させるため、電子機器におけるエピタキシャル・ウェーハの用途が増加している。
5.3.市場破壊の分析
5.4.ポーターのファイブフォース分析
5.4.1.新規参入の脅威
5.4.2.代替品の脅威
5.4.3.顧客の交渉力
5.4.4.サプライヤーの交渉力
5.4.5.業界のライバル関係
5.5.バリューチェーンとクリティカルパス分析
5.6.価格分析
5.7.技術分析
5.8.特許分析
5.9.貿易分析
5.10.規制枠組み分析
6.エピタキシャルウェーハ市場、材料タイプ別
6.1.はじめに
6.2.ガリウムヒ素
6.3.窒化ガリウム
6.4.リン化インジウム
6.5.シリコン
6.6.炭化ケイ素
7.エピタキシャルウェーハ市場、ウェーハサイズ別
7.1.はじめに
7.2.100mm
7.3.150mm
7.4.200mm
7.5.300mm
8.エピタキシャルウェーハ市場、用途別
8.1.はじめに
8.2.発光ダイオード
8.3.マイクロ電気機械システム
8.4.フォトニクス
8.5.パワー半導体
8.6.高周波デバイス
9.米州エピタキシャルウェーハ市場
9.1.はじめに
9.2.アルゼンチン
9.3.ブラジル
9.4.カナダ
9.5.メキシコ
9.6.アメリカ
10.アジア太平洋地域のエピタキシャルウェーハ市場
10.1.序論
10.2.オーストラリア
10.3.中国
10.4.インド
10.5.インドネシア
10.6.日本
10.7.マレーシア
10.8.フィリピン
10.9.シンガポール
10.10.韓国
10.11.台湾
10.12.タイ
10.13.ベトナム
11.欧州・中東・アフリカエピタキシャルウェーハ市場
11.1.序論
11.2.デンマーク
11.3.エジプト
11.4.フィンランド
11.5.フランス
11.6.ドイツ
11.7.イスラエル
11.8.イタリア
11.9.オランダ
11.10.ナイジェリア
11.11.ノルウェー
11.12.ポーランド
11.13.カタール
11.14.ロシア
11.15.サウジアラビア
11.16.南アフリカ
11.17.スペイン
11.18.スウェーデン
11.19.スイス
11.20.トルコ
11.21.アラブ首長国連邦
11.22.イギリス
12.競争環境
12.1.市場シェア分析（2023年
12.2.FPNVポジショニングマトリックス（2023年
12.3.競合シナリオ分析
12.3.1.GlobiTech、SiC市場拡大のためにAIXTRONを選択
12.3.2.IQE、200mm RGBエピタキシャルマイクロLEDウェハー製品を発売
12.3.3.レゾナック、第三世代高品位SiCエピタキシャルウェーハを開発、量産を開始
12.4.戦略分析と提言
13.競合ポートフォリオ
13.1.主要企業のプロフィール
13.2.主要製品ポートフォリオ
図2.エピタキシャルウェーハ市場規模、2023年対2030年
図3.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、2018年～2030年（百万米ドル）
図4.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、地域別、2023年対2030年(%)
図5. エピタキシャルウェーハの世界市場規模、地域別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図6. エピタキシャルウェーハ市場ダイナミクス
図7.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、材料タイプ別、2023年対2030年(%)
図8.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、材料タイプ別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図9.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、ウェーハサイズ別、2023年対2030年(%)
図10.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、ウェーハサイズ別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図11.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、用途別、2023年対2030年(%)
図12.エピタキシャルウェーハの世界市場規模、用途別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図13.アメリカのエピタキシャルウェーハ市場規模、国別、2023年対2030年(%)
図14.アメリカのエピタキシャルウェーハ市場規模、国別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図15.米国のエピタキシャルウェーハ市場規模、州別、2023年対2030年 (%)
図16.米国エピタキシャルウェーハ市場規模：州別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図17.アジア太平洋地域のエピタキシャルウェーハ市場規模、国別、2023年対2030年 (%)
図18.アジア太平洋地域のエピタキシャルウェーハ市場規模、国別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図19.欧州・中東・アフリカエピタキシャルウェーハ市場規模：国別、2023年対2030年(%)
図20.欧州、中東、アフリカのエピタキシャルウェーハ市場規模、国別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図21.エピタキシャルウェーハ市場シェア、主要プレーヤー別、2023年
図22. エピタキシャルウェーハ市場、FPNVポジショニングマトリックス、2023年
• 日本語訳：エピタキシャルウェーハ市場：材料タイプ（ガリウムヒ素、窒化ガリウム、リン化インジウム）、ウェーハサイズ（100mm、150mm、200mm）、用途別 – 2024-2030年の世界予測
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