 | • レポートコード：MRC360i24AP5432 • 出版社/出版日：360iResearch / 2024年1月 • レポート形態：英文、PDF、191ページ • 納品方法：Eメール（受注後2-3日） • 産業分類：産業未分類 |
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レポート概要
※当レポートは英文です。下記の日本語概要・目次はAI自動翻訳を利用し作成されました。正確な概要・目次はお問い合わせフォームからサンプルを請求してご確認ください。
[191ページレポート】窒化ガリウム半導体デバイス市場規模は、2023年に203.8億米ドルと推定され、2024年には222.3億米ドルに達し、2030年には年平均成長率9.44%で383.5億米ドルに達すると予測されています。
FPNVポジショニング・マトリックス
FPNVポジショニング・マトリックスは窒化ガリウム半導体デバイス市場を評価する上で極めて重要です。事業戦略と製品満足度に関連する主要指標を調査し、ベンダーを包括的に評価します。この詳細な分析により、ユーザーは自らの要件に沿った十分な情報に基づいた意思決定を行うことができます。評価に基づき、ベンダーは成功の度合いが異なる4つの象限に分類されます：フォアフロント（F）、パスファインダー（P）、ニッチ（N）、バイタル（V）である。
市場シェア分析
市場シェア分析は、窒化ガリウム半導体デバイス市場におけるベンダーの現状を洞察的かつ詳細に調査する包括的なツールです。全体的な収益、顧客ベース、その他の主要指標についてベンダーの貢献度を綿密に比較・分析することで、各社の業績や市場シェア争いの際に直面する課題について、より深い理解を提供することができます。さらに、この分析により、調査対象基準年に観察された蓄積、断片化の優位性、合併の特徴などの要因を含む、この分野の競争特性に関する貴重な洞察が得られます。このように詳細な情報を得ることで、ベンダーはより多くの情報に基づいた意思決定を行い、市場での競争力を得るための効果的な戦略を考案することができます。
主要企業のプロファイル
本レポートでは、窒化ガリウム半導体デバイス市場における最近の重要な動向を掘り下げ、主要ベンダーとその革新的なプロフィールを紹介しています。これらには、Agnit Semiconductors Private Limited、BelGaN BV、Cambridge GaN Devices Ltd.、Efficient Power Conversion Corporation、富士通株式会社、GaN Systems by Infineon Technologies、Microchip Technology Incorporated、Navitas Semiconductor、NexGen Power Systems、NXP Semiconductors N.V.、ON Semiconductor Corporation、Qorvo Inc.、Texas Instruments Incorporated、Toshiba Corporation、Wolfspeed Inc.などが含まれます。
市場細分化とカバー範囲
この調査レポートは、窒化ガリウム半導体デバイス市場を分類し、以下の各サブ市場における収益予測と動向分析を掲載しています：
製品 ● GaN高周波デバイス
オプト半導体
パワー半導体
コンポーネント ● ダイオード
パワーIC
整流器
トランジスタ
ウェーハサイズ ● 2インチ
4インチ
6インチ
8インチ
最終用途 ● 自動車
家電
防衛・航空宇宙
ヘルスケア
産業・電力
情報通信技術
地域 ● 米州 ● アルゼンチン
ブラジル
カナダ
メキシコ
アメリカ ● カリフォルニア州
フロリダ州
イリノイ州
ニューヨーク
オハイオ州
ペンシルバニア
テキサス
アジア太平洋 ● オーストラリア
中国
インド
インドネシア
日本
マレーシア
フィリピン
シンガポール
韓国
台湾
タイ
ベトナム
ヨーロッパ・中東・アフリカ ● デンマーク
エジプト
フィンランド
フランス
ドイツ
イスラエル
イタリア
オランダ
ナイジェリア
ノルウェー
ポーランド
カタール
ロシア
サウジアラビア
南アフリカ
スペイン
スウェーデン
スイス
トルコ
アラブ首長国連邦
イギリス
本レポートは、以下の点について貴重な洞察を提供している：
1.市場浸透度：主要企業が提供する市場に関する包括的な情報を掲載しています。
2.市場の発展：有利な新興市場を深く掘り下げ、成熟した市場セグメントにおける浸透度を分析します。
3.市場の多様化：新製品の発売、未開拓の地域、最近の開発、投資に関する詳細な情報を提供します。
4.競合評価とインテリジェンス：主要企業の市場シェア、戦略、製品、認証、規制当局の承認、特許状況、製造能力などを網羅的に評価します。
5.製品開発とイノベーション：将来の技術、研究開発活動、画期的な製品開発に関する知的洞察を提供しています。
本レポートは、以下のような主要な質問に対応しています：
1.窒化ガリウム半導体デバイス市場の市場規模および予測は？
2.窒化ガリウム半導体デバイス市場の予測期間中に投資を検討すべき製品、セグメント、アプリケーション、分野は何か？
3.窒化ガリウム半導体デバイス市場の技術動向と規制の枠組みは？
4.窒化ガリウム半導体デバイス市場における主要ベンダーの市場シェアは？
5.窒化ガリウム半導体デバイス市場への参入に適した形態と戦略的動きは？
1.序文
1.1.研究の目的
1.2.市場細分化とカバー範囲
1.3.調査対象年
1.4.通貨と価格
1.5.言語
1.6.制限事項
1.7.前提条件
1.8.ステークホルダー
2.調査方法
2.1.定義調査目的
2.2.決定する研究デザイン
2.3.準備調査手段
2.4.収集するデータソース
2.5.分析する：データの解釈
2.6.定式化するデータの検証
2.7.発表研究報告書
2.8.リピート：レポート更新
3.エグゼクティブ・サマリー
4.市場概要
4.1.はじめに
4.2.窒化ガリウム半導体デバイス市場、地域別
5.市場インサイト
5.1.市場ダイナミクス
5.1.1.促進要因
5.1.1.1.スマートコンシューマーデバイスの需要
5.1.1.2.高出力無線周波数（RF）アプリケーションにおけるGaNの採用
5.1.1.3.製造における自動化および高精度デバイスへの傾斜
5.1.2.阻害要因
5.1.2.1.GaNデバイスに関連する高い材料費と製造コスト
5.1.3.機会
5.1.3.1.5G インフラにおける新規開発と展開
5.1.3.2.データセンターの増加
5.1.4.課題
5.1.4.1.炭化ケイ素の代替品の存在
5.2.市場細分化分析
5.3.市場動向分析
5.4.高インフレの累積的影響
5.5.ポーターのファイブフォース分析
5.5.1.新規参入の脅威
5.5.2.代替品の脅威
5.5.3.顧客の交渉力
5.5.4.サプライヤーの交渉力
5.5.5.業界のライバル関係
5.6.バリューチェーンとクリティカルパス分析
5.7.規制の枠組み
6.窒化ガリウム半導体デバイス市場：製品別
6.1.はじめに
6.2.GaN高周波デバイス
6.3.光半導体
6.4.パワー半導体
7.窒化ガリウム半導体デバイス市場：部品別
7.1.はじめに
7.2.ダイオード
7.3.パワーIC
7.4.整流器
7.5.トランジスタ
8.窒化ガリウム半導体デバイス市場：ウェーハサイズ別
8.1.はじめに
8.2.2インチ
8.3.4インチ
8.4.6インチ
8.5.8インチ
9.窒化ガリウム半導体デバイス市場：最終用途別
9.1.はじめに
9.2.自動車
9.3.家電
9.4.防衛・航空宇宙
9.5.ヘルスケア
9.6.産業・電力
9.7.情報通信技術
10.米州の窒化ガリウム半導体デバイス市場
10.1.はじめに
10.2.アルゼンチン
10.3.ブラジル
10.4.カナダ
10.5.メキシコ
10.6.アメリカ
11.アジア太平洋地域の窒化ガリウム半導体デバイス市場
11.1.はじめに
11.2.オーストラリア
11.3.中国
11.4.インド
11.5.インドネシア
11.6.日本
11.7.マレーシア
11.8.フィリピン
11.9.シンガポール
11.10.韓国
11.11.台湾
11.12.タイ
11.13.ベトナム
12.欧州・中東・アフリカの窒化ガリウム半導体市場
12.1.はじめに
12.2.デンマーク
12.3.エジプト
12.4.フィンランド
12.5.フランス
12.6.ドイツ
12.7.イスラエル
12.8.イタリア
12.9.オランダ
12.10.ナイジェリア
12.11.ノルウェー
12.12.ポーランド
12.13.カタール
12.14.ロシア
12.15.サウジアラビア
12.16.南アフリカ
12.17.スペイン
12.18.スウェーデン
12.19.スイス
12.20.トルコ
12.21.アラブ首長国連邦
12.22.イギリス
13.競争環境
13.1.FPNV ポジショニングマトリックス
13.2.主要プレーヤー別市場シェア分析
13.3.競合シナリオ分析（主要プレーヤー別
14.競合ポートフォリオ
14.1.主要企業のプロフィール
14.1.1.アグニット・セミコンダクターズ・プライベート・リミテッド
14.1.2.BelGaN BV
14.1.3.ケンブリッジ・ガーン・デバイセズ
14.1.4.エフィシェント・パワー・コンバージョン社
14.1.5.富士通株式会社
14.1.6.インフィニオンテクノロジーズのGaNシステム
14.1.7.マイクロチップ・テクノロジー社
14.1.8.ナビタスセミコンダクター
14.1.9.ネクスジェン・パワー・システムズ
14.1.10.NXPセミコンダクターズN.V.
14.1.11.オン・セミコンダクター・コーポレーション
14.1.12.Qorvo Inc.
14.1.13.テキサス・インスツルメンツ・インコーポレイテッド
14.1.14.株式会社東芝
14.1.15.ウルフスピード
14.2.主要製品ポートフォリオ
15.付録
15.1.ディスカッションガイド
15.2.ライセンスと価格
図2.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、2023年対2030年
図3.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、2018年～2030年(百万米ドル)
図4.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、地域別、2023年対2030年(%)
図5. 窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、地域別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図6. 窒化ガリウム半導体デバイス市場ダイナミクス
図7.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、製品別、2023年対2030年(%)
図8.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、製品別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図9.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、部品別、2023年対2030年(%)
図10.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模：構成部品別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図11.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、ウェーハサイズ別、2023年対2030年(%)
図12.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模：ウェーハサイズ別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図13.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、最終用途別、2023年対2030年 (%)
図14.窒化ガリウム半導体デバイス市場規模：最終用途別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図15.アメリカの窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、国別、2023年対2030年(%)
図 16.アメリカの窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、国別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図 17.米国窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、州別、2023年対2030年(%)
図 18.米国窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、州別、2023年対2024年対2030年 (百万米ドル)
図 19.アジア太平洋地域の窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、国別、2023年対2030年(%)
図 20.アジア太平洋地域の窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、国別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図 21.欧州、中東、アフリカの窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、国別、2023年対2030年(%)
図22. 欧州、中東＆アフリカの窒化ガリウム半導体デバイス市場規模、国別、2023年対2024年対2030年(百万米ドル)
図23.窒化ガリウム半導体デバイス市場、FPNVポジショニングマトリックス、2023年
図24.窒化ガリウム半導体デバイス市場シェア、主要プレーヤー別、2023年
• 日本語訳：窒化ガリウム半導体デバイス市場：製品別（GaN高周波デバイス、光半導体、パワー半導体）、部品別（ダイオード、パワーIC、整流器）、ウェハサイズ別、最終用途別 – 2024-2030年の世界予測
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